深紫外led灯珠在国外的发展和应用

　　近几年，我国深紫外LED灯珠技术运用发展相对很快，除了一些科研单位在紫外LED赢得了丰富的科研成果外，国内LED企业也在这个行业开拓出适合自己的市场。

　　在近紫外LED芯片领域以很多等作为代表上游公司都有涉及近紫外芯片。紫外LED芯片发光的波长越短，技术难度就越大，在深紫外LED灯珠芯片领域我国也有像鑫优威这样的知名企业。另外以深紫外LED灯珠为代表的中游封装公司都推出了各自的紫外LED产品。

　　我国台湾地区的晶电、新世纪、荣创等LED企业都在紫外LED产品开始合理布局。相对于我国LED发展情况来讲，目前国外的紫外LED的发展状况又是什么样的呢?日本凭借其在蓝光LED领域内的先发优势，在紫外LED方面的进展同样有目共睹，日本主要紫外LED包括日亚化学与DOWA等。美国在深紫外的探索方面遥遥领先，有代表性的企业是美国的SMTI公司，可是近年有被日本超越的趋势，日本日机装(NIKKISO)将从2015年春季开始量产发光波长为255~350nm的深紫外LED灯珠。韩国厂商首尔半导体与Innotek也在研发紫外LED。与蓝光不同，目前紫外LED正处于技术发展期，在专利和知识产权方面限制比较少，有益于占领、引领未来的技术制高点。

　　国内在紫外LED的装备、材料和器件方面都有了一些积累。在紫外LED形成大规模产业前，还需要国家的正确引导与支持，确保在核心技术方面获得先机。

　　未来需要解决的技术难题是蓝宝石衬底上高质量AlN模板的MOCVD外延生长;AlGaN量子阱的发光机制研究与结构控制技术;P型高Al组分AlGaN掺杂技术研究;低欧姆接触电极的制作;电流拥堵效应的解决;紫外LED出光效率提高技术;荧光材料的合成;耐热抗紫外封装材料的研究;深紫外LED灯珠的器件工艺和封装技术;应用模块研制等。在国内外诸多紫外LED研究工作者的共同努力下，相信紫外LED芯片的应用前景将一片光明。

　　根据紫外LED芯片的研究现状，预计其未来研究发展方向有以下这几个方面：研究高质量的深紫外材料外延生长技术;高Al组分AlGaN材料生长技术和掺杂技术;深紫外LED灯珠结构设计;波长300nm以下LED器件芯片制作工艺和封装技术;面向医疗、和净化应用领域的紫外光源模块开发和应用。

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