Keithley 2602B吉利时数字源表 东莞

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美国吉时利KEITHLEY源表2600B系列研究领域：
各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：
 离散和无源元件 
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等 
 简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
 集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC 
–射频集成电路（RFIC）
–专用集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
 光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器
 圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
太阳能电池电池暂态抑制器件C、RFIC、MMIC激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器电路保护器件:TVS、MOV、熔丝安全气囊连接器、开关、继电器碳纳米管半导体纳米线碳纳米管 FET纳米传感器和阵列单电子晶体管分子电子有机电子基本运放电路二极管和电路晶体管电路测试：漏流低压、电阻LIVIDDQI-V特征分析隔离与轨迹电阻温度系数正向电压、反向击穿、漏电流直流参数测试直流电源HIPOT介质耐受性双极结型晶体管设计结型场效应晶体管设计金属氧化物半导体场效应晶体管设计太阳能电池和 LED 设计高电子迁移率晶体管设计复合半导体器件设计分析纳米材料和实验器件碳纳米管的电测量标准测量碳纳米管电气特性提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量纳米级器件和材料的电气测量提高超高电阻和电阻率测量的可重复性一种微分电导的改进测量方法纳米技术准确电气测量的技术纳米级材料的电气测量降低外部误差源影响的仪器技术迎接65nm节点的测量挑战测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压用微微微安量程测量电流栅极电介质电容电压特性分析评估氧化层的可靠性zui新的半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器输出极低电流和测量极低电析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。用于先进CMOS技术的脉冲可靠性测试高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量配置分立电阻器验证测试系统电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试多台数字源表的触发器同步
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