了解企业驱动器的新趋势 高性能设备如何发挥作用以及底层NA

对于企业应用程序工作负载，固态驱动器大多取代了磁性硬盘，并且越来越成为大容量数据存储的可行选择。虽然出货的HDD总数继续超过SDD，但出货量的交叉将在未来一两年内发生。

与HDD相比，SDD在吞吐量和延迟方面具有巨大优势。然而，只要它们仍然与HDD外形和接口兼容，特别是2.5英寸小型(SFF)驱动器机箱和SATAI/O格式。然而，随着直接连接到PCI系统总线的基于NVMe的高性能SSD在企业中变得更加普遍，这种情况正在发生变化。

继续阅读企业驱动器的趋势、NVMe设备优势的原因、底层NAND闪存技术的进步和一些用例。

SATA输出，NVMe输入

Statista估计SSD的出货量将在2021年首次超过HDD。根据ResearchandMarkets的数据，到2024年，企业闪存存储市场的收入将以每年17%的速度增长，达到约250亿美元。销售额由四大驱动超大规模云提供商——阿里巴巴、AWS、谷歌和微软——以及协同定 位设施正在取代许多企业数据中心。

物理学很少为您提供免费的东西，因此增加每个单元的位密度的缺点是速度和耐力。

过去，闪存存储在企业市场上与硬盘竞争的简单方法是采用现有的HDD物理和接口标准。直到几年前，使用SAS和SATA接口的固态硬盘才在市场上占据主导地位。然而，在2017年底，NVMe高性能SSD的使用量激增，并超过了2018年年中出货的SATA企业驱动器的总容量。

与SATA驱动器相比，更喜欢NVMe高性能SSD有几个原因。它们包括：

?NVMe协议专为非易失性半导体存储器(如NAND闪存)和下一代非易失性技术(如IntelOptane等3DXPoint)以及电阻和磁阻存储器(如Everspin和AvalancheTechnology提供的技术)而设计。它显着简化了I/O协议并了HDD协议的其他限制。

更密集、更快的闪存
与动态RAM(DRAM)一样，闪存通过检测存储单元中是否存在电荷来工作。与DRAM不同，闪存使用一种存储结构，一旦内存芯片断电，它就不会失去电荷。

早期的闪存设计使用由绝缘二氧化硅包围的导电多晶硅浮栅，在数据写入过程中通过称为Fowler-Nordheim隧道效应的过程捕获电子。这些平面结构多年来一直很好地服务于行业，但它们的二维结构限制了存储单元阵列的密度。

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