霍尔传感器响应时间测试大电流源

霍尔传感器响应时间测试大电流源特点

50μs-500μs的脉冲宽度连续可调

15μs超快上升沿（典型时间）

两路同步测量电压0.3mV-18V

0.1%测试精度

单台5A-1000A程控输出，可多台并联高达6000A

支持过流保护、异常开路保护

可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥

可适用于大电流传感器（阶跃）响应时间测试

应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！详询一八一四零六六三四七六；